单极开关ADRF5345

防静电 射频 无线

反射设计低插入损耗0.35 dB 2.8 GHz典型0.40 dB 3.8 GHz典型高功率处理TCASE = 105°C的长期(> 10年)平均连续波功率:39 dBm LTE信号平均功率:39 dBm峰值功率:49 dBm高输入线性,IP3: 84 dBm典型的ESD评级HBM: 2000 V,二班CDM: 1000 V, C3类单电源操作,集成日光积极控制,LVCMOS - / LVTTL兼容4毫米x 4毫米,22-terminal LGA包ADRF5345线性高,反光,单刀,four-throw (SP4T)开关在硅生产过程。1.8 GHz的ADRF5345运作与一个典型的插入损耗低于3.8 GHz 0.40 dB和典型输入IP3 84 dBm。设备有一个射频输入功率处理能力39 dBm的连续波信号和39 dBm平均49 dBm峰长期演进(LTE)的信号。ADRF5345包含了一个集成的负电压发生器日光可视操作有一个积极的供应5 V (VDD)应用于VDD销画马2电源电流。设备采用低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) /低压晶体管晶体管逻辑(LVTTL) -兼容的控制。ADRF5345进来4毫米×4毫米,22-terminal,通过无铅认证、土地阵列(LGA)包和操作之间−40°C + 105°C。5 g天线倾斜无线基础设施军事和高可靠性应用测试设备Pin二极管替换