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当前的:95
电压:40 V
RH6G040BG功率MOSFET的低电阻和高功率包,适合转换。低,抵抗高功率小模具包(HSMT8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素
罗姆半导体
当前的:60
电压:150 V
RS6R060BH功率MOSFET的低电阻和高功率包,适合切换低,抗高功率包(HSOP8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素100% Rg和ui测试
罗姆半导体
当前的:210
电压:40 V
RS6G120BG功率MOSFET的低电阻和高功率包,适合转换。低,抗高功率包(HSOP8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素100% Rg和ui测试
罗姆半导体
QC962-8A混合集成IGBT司机驾驶n沟道设计IGBT在任何门放大器模块的应用程序。该设备提供了所需的输入和输出之间的电气隔离……
QP12W05S-37混合集成IGBT开车司机为IGBT模块。这个设备是一个完全孤立的栅极驱动电路组成的一个最优绝缘栅驱动放大器和一个孤立的…
当前的马:25
电压V: 13
功能-内置隔离直流电源;单电源驱动拓扑——高隔离电压3750伏——输入信号频率20 khz,内置故障电路故障反馈销——驱动信号忽略……
电压:1700、2500、4500 V
设计使用专有thin-wafer XPT材料™技术和最先进的IGBT等过程,这些设备显示的品质降低热阻,低尾电流,低能量损失,和高速开关……
当前的:600
电压:1200 V
LittelfuseIGBT模块提供现代的高效和快速的切换速度IGBT技术在一个健壮的和灵活的格式。Littelfuse提供了一种用于功率控制应用程序扩展组合……
威世是世界上头号的低功率场效应管制造商。的威世Siliconix功率MOSFET的产品线包括设备超过30包类型,包括chipscale微脚®和热先进PowerPAK®家庭……
当前的:3000、1300、2000
电压:4500 5200 V
StakPak是大功率绝缘栅双极型的一个家庭晶体管(IGBT) press-packs和二极管在一个先进的模块化的住房保证制服芯片压力多种设备堆栈。虽然最常见的…
电压:-60 V
p沟道mosfet在正常和逻辑水平,降低设计的复杂性中、低功率应用OptiMOS™p沟道mosfet 60 v DPAK包代表了新技术针对电池管理、负荷开关……
英飞凌科技公司
当前的:10,43岁
电压:250 500 V
仙童礼物与IGBT的最新的汽车点火。是专门设计的夹能量密度最高的市场上的所有设备,饱和压降低。提供最优性能和满足……
飞兆半导体公司
圣提供了一个广泛的汽车智能3和5针下部开关(OMNIFET)基于VIPower智能电源(垂直)技术。该专有技术允许完整的数字和模拟控制的集成和…
意法半导体
电压:45 V
中央半导体BCX51 BCX52, BCX53类型硅PNP型晶体管外延平面的过程,生产的环氧型表面安装包,专为高电流通用放大器……
中央半导体
当前的:0.8
电压:50 V
直流电流增益hFE Max。:400直流电流增益hFE分钟。:160描述:- 92,50 v, 0.8一个,NPN双极晶体管集成电路(A): 0.8 PD (W): 0.625包:- 92极性:NPN型状态:积极TJ马克斯。(°C): 150 VCBO (V): 50 VCE……
…设计HousingMiniSKiiP II 1 (42 x40x16) (LLxBBxHH) 42 x40x16 SwitchesSeven包vc在V600 ICnom A6 TechnologyNPTIGBT(超速)
SEMIKRON
当前的:10 - 1600
电压:600 V - 1700 V
Greegoo提供IGBT(绝缘栅双极晶体管)在不同的拓扑模块,电流和电压等级。从15到1600一个600 v至1700 v电压类,IGBT…
当前的2:
电压:36 V
使用此MOSFET,您可以控制多达36伏特的电压。与均方根脉冲宽度调制电压可以降低(远东昏暗的LED灯)。兼容Arduino,覆盆子π等。控制电压最小值……
电压:110 265 V
TOPSwitch-HX集成了一个700 V电力MOSFET,高压开关电流源,PWM控制、振荡器、热关机电路、故障保护和其他控制电路到单一的设备。降低系统成本,更高……
功率集成
特点:简单并联由于开态电压的正温度系数崎岖eXtreme-light冲头通过(公司XPT™)设计结果:- 10µs短路额定。非常低的闸极电荷-低EMI……
ixy
电压:20、50 V
n沟道MOSFET和NPN型晶体管一个包低导通电阻非常低的阈值电压,1.0 v max低输入电容切换速度快低输入/输出漏超薄表面安装包…
二极管合并
…硅双极射频晶体管和砷化镓场效应晶体管。砷化镓场效应晶体管的射频晶体管非常适合基站放大器的第一或第二阶段由于出色的低噪声的组合图和增强……
当前的马:1 - 20 mA
电压:2.7 V
特性在临床上1 ma-20ma设备提供良好的射频性能。at - 320 xx是用各式各样的包和非常适合分页、手机/电脑和其他射频应用程序。NF = 1 db,增益= 14 db在3 v, 2马;P1dB = 13 dbm……
博通公司
电压:8 V - 35
蓝牙模块是一个过渡模块之间数据通信的移动和发电机组。它是通过RS485与发电机组控制器。通过移动应用发电机组信息可以获得和发电机组启动/停止控制。性能……
晶体管是一个三端半导体器件用于开关或放大电子信号和权力。
应用程序双极技术是用于模拟和电力电子,尤其是对电流放大和电压调节。MOFSET晶体管工作在功率和高压开关,电机控制和开关电源。
技术双极场效应晶体管(FET)工作不同。前者是基极电流控制,而后者是栅极电压控制。他们不同的性质控制电路的电压降。双极模型有一个最小的半导体之间的连接。场效应晶体管输出电阻很低的几毫欧姆。
双极晶体管n - p型,根据控制电流方向的基础。n沟道场效应晶体管提供更好的性能比p沟道与negative-source电压控制模型。还有其他类型的晶体管:用于射频和高频应用,高增益,达林顿晶体管igbt和jfet。
选择将主要取决于电流和电压规格、频率限制和包装。
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